【CNMO科技消息】存储芯片的这轮上行周期还能走多久，两家机构给出了方向相近、幅度相差很远的判断。财联社11月11日消息，美国银行援引集邦科技资深分析师Avril Wu的观点称，存储行业可以维持当前的上升周期到2027年，并在2028年避免进入下行周期。
存储芯片
Wu在11月10日由美国银行主办的一场网络直播中表示，内存价格可能继续走高。她预计2026年第四季度DRAM和HBM价格将比上一季度上涨10%至20%，NAND价格将上涨8%至13%。再往前看，她认为到2027年HBM价格会涨到原来的两倍以上，而长期供应协议可能有助于降低2028年之后的价格波动——也就是说，涨幅未必能一直维持，但波动的剧烈程度有望收敛。
美国银行总体上认同这套看涨逻辑，但对涨幅的判断明显更保守。该行预计第四季度DRAM价格环比上涨8%，NAND上涨3%，两个数字都远低于集邦给出的区间。分歧最大的地方在HBM：美银认为2027年HBM的涨幅会低于50%，与Wu预期的翻倍相去甚远；该行同时警告，价格回调最早可能在2027年初就会开始。
同一批供需数据，被读出两种节奏。这并不奇怪，研究机构看的是产能缺口与长约结构，投行还要兼顾客户持仓、估值与市场情绪，对同一件事自然会有不同的措辞。但从两边的表态里能提取出一个共同点：2027年仍是这轮周期的关键节点，只是有人认为那是高位平台，有人认为那是拐点前夜。至于2028年能否“避免下行”，两家的说法其实都留了余地，没有人给出确切的软着陆路径。
作者：手机中国
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